1.半導體廢（fèi）氣簡述

半導體製造工藝中需要使用多種特殊氣體、大量的酸、堿等（děng）化（huà）學品以及有機溶劑和揮發性液體，這些氣體和化（huà）學品在半導體製造的不同工藝中使用，產生酸性、堿性（xìng）、有機廢氣，這些廢（fèi）氣如果沒有經過處理直接排放，將造（zào）成嚴重的汙染問題（tí），不僅影響人們的身（shēn）體健康，惡化大氣環境，造成環境汙染的公害事件（jiàn）等，因此，必須對半導體廢氣進行淨化處理後，達到大氣汙染物標準排放。

1.1半導體廢氣汙染物來源

（1）酸性/堿性工（gōng）藝廢（fèi）氣

酸性廢氣來源於工（gōng）藝流程中使用的各種酸液和酸性氣體（tǐ）對芯片的腐蝕過程和清洗過程，主（zhǔ）要汙（wū）染物為氟化物、硫酸霧、氮氧化物、氯化氫；堿性廢氣（qì）來源於刻（kè）蝕工（gōng）序和工藝過程中使用的氨水和（hé）氨氣，主要成分為氨。

（2）有機廢氣

有機廢氣汙染物丙酮、甲醇、二甲苯和異丙醇來源於使用有機溶劑清洗和光刻過程（chéng）。半導體製造工藝中使用的有機溶劑（jì）量比較（jiào）大，因此，對有機廢氣（qì）處理采取單獨處理設備。

（3）特殊氣體工藝尾氣

特殊氣體工藝廢氣是（shì）指在氧化、擴散、CVD沉積、離子注入（rù）、幹法刻蝕等工序中產生的（de）微量矽烷、磷烷、硼烷、以及CLa、CF4。

2.半導體廢氣處理方法

2.1半導體工藝尾氣處理

（1）摻雜氣體工藝尾氣處理

在集成電路芯片（piàn）的加（jiā）工過（guò）程中，摻雜氣體工藝尾（wěi）氣主要來（lái）自擴散、CVD沉積、離子（zǐ）注（zhù）入工序，尾氣中含有（yǒu）微量矽烷、磷烷、三氯化硼、硼烷等特殊氣體。

為防止出現工藝尾氣中特殊氣體的排放濃度突然增（zēng）大的情況和其它意外突發情（qíng）況，確保工（gōng）藝尾氣的（de）安全處理效果，經源頭處理後的工藝（yì）尾氣再經有機廢氣處理（lǐ）係統和酸性廢氣處理係統處（chù）理後（hòu）排放。

即要（yào）求擴散爐、強束流離子注入機、低濃度離子注入機、CVD機配套工藝尾氣淨化裝置，工藝尾氣再經有機廢氣處理（lǐ）係統和酸性廢氣（qì）處理係統處理後排放。

半導（dǎo）體芯片廠一般配套的工藝尾氣淨化裝置采用燃（rán）燒法處理這些廢氣，並且將燃（rán）燒過的排氣再經有機（jī）廢氣處理係統和酸性廢氣處（chù）理係統作進一步處理（lǐ）。

燃燒（shāo）後的SiO2、PO等顆粒物沉澱，燃燒產生的（de）尾氣納入酸（suān）性廢氣處理係統，可被堿（jiǎn）液噴（pēn）淋吸（xī）收淨化處理。

（2）幹法蝕刻工藝尾氣處（chù）理

幹法刻蝕使用氯氣、四氟化碳等全氟化物（PFCs），大部分氯氣和全氟化（huà）物轉化為氯化氫和氟化物，未反應部分經配套的工藝尾氣淨化裝置處理，再經有機廢（fèi）氣（qì）處理係（xì）統和酸性廢氣處理係統處理後排放。一般對氯氣和全氟化物工藝尾（wěi）氣采用化學（xué）吸附法處理。

2.2 半導體工藝廢（fèi）氣處理

（1）酸性、堿性氣體處理方法

酸性廢氣處（chù）理方法是采用“堿液噴淋塔”進行處理，以（yǐ）10%的氫氧（yǎng）化鈉溶液為吸收液。堿性（xìng）廢氣（qì）處理方法（fǎ）是采用“酸液噴淋塔”進（jìn）行處理，以10%的硫酸溶液為吸收液。酸性、堿（jiǎn）性廢氣洗滌（dí）淨（jìng）化法，在電子行（háng）業生產中應用相當普遍，具有運行穩定，處（chù）理效果好，投（tóu）資少，處理費用低等優點。

（2）有機廢氣處（chù）理方法

清洗（xǐ）槽、光刻機、去膠（jiāo）機等產生（shēng）的有機廢氣，然而（ér）對於有機廢氣處（chù）理方法有很多種，常見主要有活性（xìng）炭吸附法、燃（rán）燒法、UV光解淨化法等，接（jiē）下（xià）來，国产精品一区二区尿失禁環保小編詳細介紹半（bàn）導體有機廢氣處理方法。

① 活性炭吸（xī）附法

活性炭吸附法主要原理（lǐ）就是利用多孔固體（tǐ）吸附劑（活性碳、矽膠、分子篩等）來處理有機廢氣，這樣就能夠通過化學鍵力或者是分子引力（lì）充分吸（xī）附（fù）有害成分，並且將其吸附在吸附劑的表麵，從而達到淨化有機廢氣的目的。吸附法目前主要應用於大風量、低濃度（≤800mg/m3）、無顆粒物、無粘（zhān）性物（wù）、常溫的低濃度有（yǒu）機廢氣淨化處理。

活（huó）性炭淨化率高（活（huó）性炭吸附（fù）可達（dá）到95%以上），實用遍（biàn）及，操縱簡單，投資低。在吸附飽和以後需要更換新的活性炭，更換活性炭需要費用，替（tì）換（huàn）下來的飽和以後的活性炭也是（shì）需要找專業人員進行危廢處理，運行費用高。

② 燃燒法

燃燒法隻在揮（huī）發性（xìng）有機物在高溫及空氣充足的條件下進行完全燃燒，分（fèn）解為CO2和H2O。燃燒（shāo）法適用於各類有機廢氣，可以分（fèn）為（wéi）直接燃燒、熱力燃（rán）燒和催化燃（rán）燒。

排放濃度大於5000mg/m³ 的高濃度廢氣一般采用（yòng）直接燃燒法（fǎ），該方（fāng）法將VOCs廢（fèi）氣作為燃料進行燃燒，燃燒溫度一（yī）般控（kòng）製在1100℃，處理效率高，可以達到95％一99％。

熱力燃燒法適合（hé）於處理濃度在1000—5000 mg/m³ 的廢氣，采用熱力燃燒法，廢氣中VOCs濃度較低（dī），需要（yào）借助其他燃料（liào）或助燃氣體，熱力燃燒所需的溫度較直接燃（rán）燒低，大約為540—820℃。燃燒法處理VOCs廢氣處理（lǐ）效率高，但VOCs廢氣若含有S、N等元素，燃燒後產生的（de）廢氣直接外（wài）排會導致二次汙染（rǎn）。

通過熱力燃燒（shāo）或者催化燃燒法處理有機廢氣，其淨（jìng）化率是比較高的，但是其投資（zī）運營成本極高。因廢氣排放（fàng）的點多且分散，很難（nán）實現集中收集。燃燒裝置需要（yào）多套且需要很大的占地麵積。熱力燃燒比較適合24小時連續不斷運行且濃度（dù）較高而穩定的廢氣工況，不適合間（jiān）斷性的（de）生產產線工況。催化燃燒的投資和運營費用相對熱（rè）力燃燒較低，但淨化效率（lǜ）也相對較低一些（xiē）；但貴金屬催化劑容易（yì）因為廢氣（qì）中的雜質（如硫化物）等造成中毒失效，而更換催（cuī）化劑的費用很高；同時對廢氣進氣條件的控製非常嚴格，否則會（huì）造成催化燃燒室堵塞而引起安全事故。

③ UV光解淨化（huà）法

UV光解淨化（huà）法利用高能UV紫外線光束分解空氣中的氧分子（zǐ）產生遊離氧（yǎng）（即活性氧），因遊離氧所攜帶正（zhèng）負電子不平衡所以需與氧分子結合，進（jìn）而產生臭氧，臭氧具（jù）有很強的氧化性，通過臭（chòu）氧對有機廢氣（qì）、惡（è）臭氣體進行協同光解氧化作用，使有機（jī）廢氣、惡臭氣體物質降解（jiě）轉化成低分子化（huà）合物、CO2和H2O。

UV光解淨化法具有高效處理效率（lǜ），可達到95%以上；適應性強（qiáng），可適應中低濃度，大氣量，不（bú）同有機廢氣以（yǐ）及惡臭氣體物質的淨化處（chù）理；產品性能穩定，運行穩（wěn）定可靠（kào），每天可24小時連續工作；運行成本低，設備耗能低，無需專人管理與維護，隻需作定期檢查。UV光解（jiě）法因采用光解原理，模塊采取隔爆處理，消除了安全隱患，防火（huǒ）、防（fáng）爆、防腐蝕性能高，設備性能安全穩定，特別適用於（yú）化工、製藥等防爆要求高的（de）行業。

以（yǐ）上關於半導體廢氣處理方法介紹（shào），希望可以幫到您，其（qí）實對於半導體廢氣處理，一般是需要根據廢氣的濃度（dù）、產生量、廢氣成（chéng）分、如何收集等方麵進行設計。如果您有半導體廢氣需要淨化處理，可以隨時（shí）撥打（dǎ）400 808 2272電話，谘詢国产精品一区二区尿失禁環保,為您提供半導體廢氣（qì）處（chù）理方案及設備（bèi）。