1，半導體廢（fèi）氣簡述

半（bàn）導體製造工藝中需（xū）要使用多種特殊氣體、大量（liàng）的酸、堿等化學品以及有機溶劑（jì）和揮發性液體（tǐ），這些氣體和化學（xué）品在半導體製造（zào）的不同工藝中使用，產生酸性、堿性（xìng）、有機廢氣，這些廢氣如果沒（méi）有經過處理直接排放，將造成（chéng）嚴重的汙染問題，不僅影（yǐng）響（xiǎng）人們的身體健康，惡（è）化大氣環境，造成環境汙染的公害事件等，因此，必須對半導體廢氣進（jìn）行（háng）淨化處理後，達到大氣汙染物標準排放。

1.1 半導體廢氣汙染物來源

（1）酸性/堿性工藝廢氣

酸性廢氣來源於工藝流程中使用的各種酸液和酸性氣體（tǐ）對芯（xīn）片的腐（fǔ）蝕過程和（hé）清（qīng）洗過程，主要汙染物為氟化物、硫酸霧、氮氧化物、氯化氫；堿性廢氣來源於刻蝕工序和工藝過程中使用的氨水和氨氣（qì），主要（yào）成分為氨。

（2）有機廢氣

有機廢氣汙染（rǎn）物丙酮、甲醇、二甲苯（běn）和異丙醇來源於使用有機溶劑清洗和光刻過程。半導體製（zhì）造工（gōng）藝中使用的有機溶劑量比較大，因此，對有機廢（fèi）氣處理采取單獨處理設備。

（3）特殊氣（qì）體（tǐ）工藝尾氣（qì）

特殊氣體工（gōng）藝廢氣是指在氧化、擴散、CVD沉積、離子注入、幹法刻蝕等工序中產生的微量矽烷、磷烷、硼烷、以及CLa、CF4。

2.半導體（tǐ）廢氣處理方法

2.1 半導體工藝尾氣處理

（1）摻雜氣體工藝尾（wěi）氣處理

在集成電路芯片的加工過程（chéng）中，摻雜（zá）氣體工藝尾氣主要來自擴散、CVD沉積、離子注（zhù）入工序，尾氣中含有微量矽烷、磷烷、三（sān）氯化硼、硼烷等特殊氣體。

為防止出現工（gōng）藝尾氣中（zhōng）特殊氣（qì）體的排放濃度突然（rán）增大（dà）的（de）情況和其它意外突發情況，確（què）保工藝尾氣的安全處理效果（guǒ），經源頭處理後（hòu）的（de）工藝尾氣再經有機廢氣處理係統和（hé）酸性廢氣處理係統處理後排放。

即要（yào）求擴散爐、強束（shù）流離子（zǐ）注入機、低濃度離子注入機、CVD機配套（tào）工藝尾氣淨化裝置，工藝尾氣再經有機（jī）廢氣處理係統和酸性廢氣處理係統處理後排放。

半（bàn）導體芯片廠一般配套的工藝（yì）尾氣（qì）淨化裝置采用燃燒法處理（lǐ）這些廢（fèi）氣（qì），並且將燃燒過的排氣再經有機廢氣處理係統和酸性（xìng）廢氣處理係統作進一步（bù）處理。

燃燒後（hòu）的SiO2、PO等（děng）顆粒物沉澱，燃燒產生的尾氣納入（rù）酸性廢氣處理係統，可被（bèi）堿液噴淋吸收淨化處理。

（2）幹法蝕刻工藝尾氣處理

幹法刻蝕使用氯氣、四氟化碳等全氟化物（PFCs），大部分氯氣和全氟化物轉化為氯化氫和氟化物，未反應部分經配套的工藝尾氣淨化裝置處理，再經有機廢（fèi）氣（qì）處理係統和酸性廢（fèi）氣處理係統處理後排放。一般對氯氣（qì）和全氟化（huà）物工（gōng）藝尾氣采用化學吸附法處理。

2.2 半導體工藝廢氣處理

（1）酸堿性廢氣（qì）處理方法

對清洗槽產生的酸堿廢氣、含氟廢氣以及預處理後的廢氣，輸送進入（rù）酸堿洗滌塔，通過酸堿中和法將半導體製造工藝中的酸性堿廢氣、含氟廢氣（qì）去除，達到環保排（pái）放的要（yào）求。

酸堿洗滌塔屬於微分（fèn）接觸逆流式，塔體內的填料是氣液兩相接（jiē）觸的基本構件。塔體外部的氣體進（jìn）入塔體後（hòu），氣體進入填料層，填料層上（shàng）有來自於頂部的噴淋液體及前麵的噴淋液體，並在填料上形成一層液膜，氣體流經填料空隙時，與填料液膜接觸並進（jìn）行（háng）吸收或（huò）中（zhōng）和反應，填料層能提供足夠大的表麵積，對氣體流動又不致造成（chéng）過大的阻力，經吸收或中和後的氣體經除霧器收集後，經（jīng）出風口排出塔外。廢氣由風機自風管吸入，自下而上（shàng）穿過填料層循環水由塔頂通過液體分布器，均勻地噴淋到填料層中（zhōng），沿著填料（liào）層表麵向下流動，進入循環（huán）水箱。由於（yú）上升氣流和下降吸收劑在填料中不斷接（jiē）觸，上升氣流中（zhōng）流質（zhì）的濃度越來越低，到（dào）塔頂時達到排放要求。液膜上的液體在重力作用下流入循（xún）環水池，並由循環（huán）泵抽（chōu）出循環。噴淋（lín）塔上段配備有除霧（wù）係統，淨化後的氣體通過（guò）除霧器的彎曲通道，在慣性力及重力的作用下將氣（qì）流中夾帶的液（yè）滴分離出來，處理後的廢氣以一定的速度流經除霧器，廢氣被快速、連續（xù）改變運動方向，因離心力和慣性的作用，廢氣（qì）內的霧滴撞擊到除霧器葉片上被捕集下來，霧滴匯（huì）集（jí）形成水流，因（yīn）重力的作用，下落至漿（jiāng）液（yè）池內，實現了氣液分離（lí），使得流經（jīng）除霧器的廢氣達到（dào）除（chú）霧要求後排（pái）出。

（2）有機廢氣處理方（fāng）法

清洗槽、光刻機（jī）、去膠機等產（chǎn）生的有機廢氣，然而對於有（yǒu）機廢氣處理方法有很多（duō）種（zhǒng），常見（jiàn）主要有活性炭吸附法、燃燒（shāo）法、UV光解淨化法（fǎ）等，接下來，国产精品一区二区尿失禁環保小編詳細介紹半導體有機廢氣處（chù）理方法。

① 活性炭吸附法

活性炭吸附法主要原理就（jiù）是利用多孔固體吸附劑（活性碳、矽（guī）膠、分子篩等）來處理（lǐ）有機廢氣，這樣就能夠通過化學（xué）鍵力或者是分子引力（lì）充分吸附有害成分，並且將其吸附（fù）在吸附劑的表麵，從而達到淨（jìng）化有機廢氣的目的。吸附法目前主要應用於大風量（liàng）、低（dī）濃度（≤800mg/m3）、無顆粒物、無粘性物、常溫的低濃度有機廢氣淨化處理。

活性炭淨化率高（活性（xìng）炭吸附可達到95%以上），實用遍及（jí），操縱（zòng）簡單，投資低。在吸附飽和以後需要（yào）更換新的活（huó）性炭，更換活性炭（tàn）需要費用，替換下來的飽和以後的活性炭也是需要找專業人員進行危廢處理，運行費用高。

② 燃燒（shāo）法

燃燒法隻在揮發性有機物在高溫及空氣充足的條（tiáo）件下（xià）進行完（wán）全燃燒，分解為CO2和H2O。燃燒法適用於各類有機廢氣，可以分為直接燃燒、熱力燃燒和催化（huà）燃燒。

排放濃度（dù）大於5000mg/m³ 的高濃度廢氣一般采用直接燃燒法，該（gāi）方法將VOCs廢氣（qì）作（zuò）為燃料進行燃（rán）燒，燃燒溫度一般控製（zhì）在1100℃，處理（lǐ）效（xiào）率高，可以達到95％一99％。

熱力燃燒法適（shì）合於處（chù）理（lǐ）濃度在1000—5000 mg/m³ 的（de）廢氣，采用熱力燃（rán）燒法，廢氣中（zhōng）VOCs濃度較低，需要借助其他燃料或（huò）助燃氣體，熱力燃燒所需的溫度較直接（jiē）燃燒低，大約為540—820℃。燃燒法處理VOCs廢氣處理效率高，但VOCs廢氣若含有S、N等元素，燃燒後產生的廢氣直接外（wài）排會導致二次汙染（rǎn）。

通過熱力燃燒（shāo）或者催化燃燒法處理有機廢氣，其淨化率是比較（jiào）高的，但是其投資運營成本極高。因廢氣排放的點多且分散，很難實現集中收集。燃燒裝置需要多套且需要很大的占地麵（miàn）積。熱力燃燒比較適合24小時連（lián）續不斷運（yùn）行且濃度較高而穩定的廢氣工況，不適合間斷性的生產產線工況。催化燃燒的投資和運營費用相對熱力燃燒較低，但淨（jìng）化效率也（yě）相對較低一些；但貴金屬（shǔ）催（cuī）化劑容易因為廢（fèi）氣（qì）中的（de）雜質（如硫化物）等造成中毒失效，而更換催化劑的費用很高；同（tóng）時對廢（fèi）氣（qì）進氣（qì）條件的控製非（fēi）常嚴格，否則會造成催化燃燒室堵（dǔ）塞而引（yǐn）起安全事故。

③ UV光（guāng）解淨化法

UV光解淨化法利用高能UV紫外線光束分解空氣中的氧分（fèn）子產生遊離氧（即（jí）活性氧），因遊離氧所攜帶正負電（diàn）子（zǐ）不平衡所以需與氧分子（zǐ）結合，進而產生臭氧，臭氧具有很強的氧化性，通過臭（chòu）氧對有機廢氣、惡臭氣體進行協同光（guāng）解氧化作用，使有（yǒu）機廢氣、惡臭氣體物質降解轉化成低分子化合物（wù）、CO2和H2O。

UV光解淨化法具有高效處（chù）理效（xiào）率，可達到95%以上；適應性（xìng）強，可適應中低濃度，大氣量，不同（tóng）有機廢氣以及惡臭氣體（tǐ）物質的淨化處理；產品性能穩定，運行穩（wěn）定可靠，每天可24小時（shí）連（lián）續工作；運行成（chéng）本低，設備耗能低，無需專人管理與維護，隻需作定期檢查。UV光解（jiě）法因（yīn）采用光解原理，模塊（kuài）采取隔爆處理，消除了安全隱患，防火、防爆、防腐蝕性能高，設備性能安（ān）全穩定，特別適用（yòng）於化工、製藥等防爆要求高的行業。

以上關於半導體廢（fèi）氣處理方法介紹，希望可（kě）以幫到您，其實對（duì）於半導體（tǐ）廢氣處理，一般是需要根據廢（fèi）氣的濃度、產生量、廢氣成分、如（rú）何收集等方麵進行設計。如果您有半導體廢氣需要淨化處理，可以隨時撥打400-808-2272電話，谘詢天（tiān）浩（hào）洋環保,為您提（tí）供半導體廢氣處理方案及設備。